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横山 淳; 大場 弘則; 橋本 雅史; 勝又 啓一; 赤木 浩; 石井 武*; 大家 暁雄*; 荒井 重義*
Applied Physics B, 79(7), p.883 - 889, 2004/11
被引用回数:10 パーセンタイル:42(Optics)シリコン同位体分離を2振動数COレーザー光照射によるSiFの赤外多光子解離を利用して行った。2振動数光照射により高い分離係数を維持したまま分離効率を向上させることができた。例えば、966.23cm(0.089J/cm)と954.55cm(0.92J/cm)の光を100パルス同時に照射し、SiFを40%分解させることでSi同位体純度99.4%のSiFが得られた。一方、954.55cmの光(0.92J/cm)のみでは同位体純度99.0%のSiFを得るのに1000パルスの照射が必要であった。SiとSiの1パルス照射あたりの分離係数は、SiF圧の増加に伴って増大した。この圧力効果の原因について周囲の気体との衝突による回転及び振動緩和の観点から議論した。
横山 淳; 大場 弘則; 柴田 猛順; 河西 俊一*; 杉本 俊一*; 石井 武*; 大家 暁雄*; 宮本 佳樹*; 磯村 昌平*; 荒井 重義*
Journal of Nuclear Science and Technology, 39(4), p.457 - 462, 2002/04
被引用回数:3 パーセンタイル:16.96(Nuclear Science & Technology)六フッ化ニケイ素(SiF)の赤外多光子解離を用いたシリコン同位体分離により高濃縮Siを得た。TEA炭酸ガスレーザーの10P(8)発振線(954.55cm)の光をセルにつめたSiFにフルエンス1.0J/cmで照射した。その結果、SiとSiは、生成物であるSiFと白色の粉に濃縮し、Siは分解しないで残ったSiFに濃縮した。99.9%濃縮のSiは、SiFを50%分解することにより得られた。また、SiFを連続的に流し、レーザー照射を行うことで、99.7%濃縮のSiを2.5g/hの生成速度で連続的に生成することが出来た。